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技術文章
TECHNICAL ARTICLES近些年來，科技的不斷發展和進步，使得傳統材料已無法滿足多種產業對其比強度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發是現今新科技發展的重要方向，而復合材料的出現在較大程度上解決了材料所面臨的問題，促進了材料的發展。復合材料是由２種或２種以上不同性質的材料，通過物理或化學的方法，在宏觀（微觀）上組成的具有新性能的材料。由于具備較高的比強度和比剛度，金屬基復合材料的研究和發展受到了眾多行業尤其是重工業的密切關注，然而加工困難是限制其工業應用的瓶頸問題，成本控制問題也并沒有得到完*，所以...
金屬基復合材料除了具有高比強度、高比模量和低膨脹系數等特點外，還具有良好的耐熱性、高韌性、耐老化性、高導電和高導熱性，同時還能抗輻射、阻燃、不吸潮、不放氣等特點。通過不同材料的組合，可以人為地制造出符合科技與工業生產要求的復合金屬材料，可以應用于機械制造、冶金、交通、船舶、制藥等多個領域。1、金屬基復合材料的研究歷史及發展現狀在２０世紀６０年代，由于傳統金屬材料無法滿足一些國家對于高性能武器裝備以及航空技術發展的需求，因此人們開始了對新材料的研究和開發，促成了金屬基復合材料的...
金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強相可以分為連續纖維增強（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續纖維增強（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強，氧化鋁纖維等短纖維增強）和疊層復合三類...
隨著電子產業的發展，電子產品正在向著質量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復雜、可靠性高這一方向發展。這就要求功率模塊在瞬態和穩態情況下都要有良好的導熱導電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會引起模塊和芯片電流、接線端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來了一些了問題如溫度漂移等，會嚴重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問題，近年來，納米銀燒結技術受到了越來越多研究者的關注。圖1蘋果手機主板上的器件集成度越來越高低溫燒結互連技術...
碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。近年來，國內外對PVT工藝的開發投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應用，而應力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應力就顯...
碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發現的碳化硅同質異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近1...
20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結方法-常壓燒結法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結，通過對燒結過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對粉末的燒結活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材，國內只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術方案中，將粒...
ITO（氧化銦錫）是制備ITO導電玻璃的重要原料。ITO靶材經濺射后可在玻璃上形成透明ITO導電薄膜，其性能是決定導電玻璃產品質量、生產效率、成品率的關鍵因素。ITO靶材性能的重要指標是成分、相結構和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10（質量比），在ITO靶材的生產過程中必須嚴格控制化學氧含量及雜質含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對經過低溫熱脫脂和燒結后工藝處理得...
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